美股重點新聞
財經台韭菜
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Partially agree. I will not sell my AVGO shares for the time being, as there may still be some upside surprises in VMware's business in the short term.
Any updates on stocks related to storage chips sectors (RAM, NAND and SSD etc.)
加價
竟然冇木頭開nvda倉 呢壇野
呢單重中之重wo
呢單重中之重wo
冇人講咪你講
Stock price blown like TSM?
The news has been around for a while, and I'm not sure how high the buyside's expectations are.
在2023年，三星披露了其先進的三維（3D）晶片封裝技術計劃，該技術將能夠在更小的尺寸內整合高性能晶片所需的記憶體和處理器。現在，根據《韓國經濟日報》的最新報導，三星在6月於聖荷西舉行的三星晶圓代工論壇上公開表示，將在今年內推出HBM的3D封裝服務。
目前，HBM晶片主要採用2.5D技術進行封裝。引用業界消息人士以及三星人員的說法，該公司的3D晶片封裝技術預計將應用於HBM家族的第六代產品HBM4。
三星關於3D HBM封裝路線圖的公告是在NVIDIA CEO黃仁勳於COMPUTEX 2024上公開Rubin後做出的，Rubin是該公司AI平台繼Blackwell之後的下一代架構。據報導，Rubin GPU將配備8個HBM4，而Rubin Ultra GPU將配備12個HBM4晶片，目標在2026年推出。
目前，三星的SAINT（Samsung Advanced Interconnect Technology）平台包含三種類型的3D堆疊技術：SAINT S、SAINT L和SAINT D。
SAINT S涉及將SRAM垂直堆疊在邏輯晶片（如CPU）上，而SAINT L涉及將邏輯晶片堆疊在其他邏輯晶片或應用處理器（AP）之上。SAINT D則涉及將DRAM與邏輯晶片（如CPU和GPU）垂直堆疊。
《韓國經濟日報》指出，與2.5D技術不同，在2.5D技術中，HBM晶片與GPU通過矽中介層水平連接，而通過將HBM晶片垂直堆疊在GPU之上，3D封裝可以進一步加速數據學習和推理處理，因此不需要矽中介層，這是一種允許晶片之間通信和協同工作的薄基板。
據《韓國經濟日報》了解，三星計劃以交鑰匙方式提供3D HBM封裝。為實現這一目標，其先進封裝團隊將垂直互連由其記憶體業務部門生產的HBM晶片，與其晶圓代工部門為無晶圓廠公司組裝的GPU。
關於三星的長期競爭對手TSMC，該公司的晶片封裝技術（CoWoS）已成為AI革命的關鍵推動力，使客戶能夠在一個中介層上並排放置更多處理器核心和HBM堆疊。TSMC也在五月份做出了類似的公告，據《AnandTech》報導，該公司在製造HBM4時將利用12nm和5nm工藝節點。
目前，HBM晶片主要採用2.5D技術進行封裝。引用業界消息人士以及三星人員的說法，該公司的3D晶片封裝技術預計將應用於HBM家族的第六代產品HBM4。
三星關於3D HBM封裝路線圖的公告是在NVIDIA CEO黃仁勳於COMPUTEX 2024上公開Rubin後做出的，Rubin是該公司AI平台繼Blackwell之後的下一代架構。據報導，Rubin GPU將配備8個HBM4，而Rubin Ultra GPU將配備12個HBM4晶片，目標在2026年推出。
目前，三星的SAINT（Samsung Advanced Interconnect Technology）平台包含三種類型的3D堆疊技術：SAINT S、SAINT L和SAINT D。
SAINT S涉及將SRAM垂直堆疊在邏輯晶片（如CPU）上，而SAINT L涉及將邏輯晶片堆疊在其他邏輯晶片或應用處理器（AP）之上。SAINT D則涉及將DRAM與邏輯晶片（如CPU和GPU）垂直堆疊。
《韓國經濟日報》指出，與2.5D技術不同，在2.5D技術中，HBM晶片與GPU通過矽中介層水平連接，而通過將HBM晶片垂直堆疊在GPU之上，3D封裝可以進一步加速數據學習和推理處理，因此不需要矽中介層，這是一種允許晶片之間通信和協同工作的薄基板。
據《韓國經濟日報》了解，三星計劃以交鑰匙方式提供3D HBM封裝。為實現這一目標，其先進封裝團隊將垂直互連由其記憶體業務部門生產的HBM晶片，與其晶圓代工部門為無晶圓廠公司組裝的GPU。
關於三星的長期競爭對手TSMC，該公司的晶片封裝技術（CoWoS）已成為AI革命的關鍵推動力，使客戶能夠在一個中介層上並排放置更多處理器核心和HBM堆疊。TSMC也在五月份做出了類似的公告，據《AnandTech》報導，該公司在製造HBM4時將利用12nm和5nm工藝節點。
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TSMC據報準備下一代HBM4製造，利用12nm和5nm工藝節點
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根據AnandTech的報導，TSMC計劃在製造最新的HBM4記憶體時利用12nm和5nm工藝節點。作為全球最大的專業晶圓代工廠，TSMC將採用N12FFC+和N5兩種製程工藝，將HBM4e記憶體與下一代AI和高性能計算（HPC）處理器整合。
在5月14日舉行的TSMC 2024年歐洲技術研討會上，該公司透露了有關其使用先進邏輯工藝製造HBM4基底晶片的最新細節。
根據報導中引用的TSMC設計和技術平台的資深總監，TSMC目前正在與包括美光（Micron）、三星和SK海力士（SK Hynix）在內的HBM記憶體合作夥伴合作，針對HBM4進行先進工藝節點的開發。
早在4月中旬，SK海力士宣布已與TSMC簽署諒解備忘錄，雙方將合作生產下一代HBM，並通過先進封裝技術增強邏輯和HBM的整合。該公司計劃通過這一計劃推進HBM4的開發，並預計在2026年量產。
N12FFC+被認為更具成本效益，預計能夠實現HBM的性能，而N5基底晶片則可以提供更多的邏輯與顯著降低的功耗。
在研討會上，TSMC表示其12FFC+工藝非常適合HBM4的性能，允許記憶體供應商構建12層堆疊（48 GB）和16層堆疊（64 GB），每層堆疊的帶寬超過2 TB/秒。TSMC還在優化CoWoS-L和CoWoS-R以支持HBM4，這些技術利用了八層以上的層數來支持HBM4超過2000個互連的布線，並確保信號完整性。
這些封裝解決方案據稱提供了可以容納多達8倍於掩膜版大小的中介層，為多達12個HBM4記憶體堆疊提供了足夠的空間。
此外，使用N5工藝製造的基底晶片將具有更高的邏輯密度、更低的功耗和更高的性能。然而，最顯著的優勢可能在於這種先進工藝技術能實現的極小互連間距，範圍從6到9微米。這一能力將使N5基底晶片能夠與直接鍵合配對，從而實現HBM4直接堆疊在邏輯晶片之上。根據報導，直接鍵合有潛力顯著提高記憶體性能，這對於不斷需要更高記憶體帶寬的AI和HPC晶片來說至關重要。
TSMC據報準備下一代HBM4製造，利用12nm和5nm工藝節點
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根據AnandTech的報導，TSMC計劃在製造最新的HBM4記憶體時利用12nm和5nm工藝節點。作為全球最大的專業晶圓代工廠，TSMC將採用N12FFC+和N5兩種製程工藝，將HBM4e記憶體與下一代AI和高性能計算（HPC）處理器整合。
在5月14日舉行的TSMC 2024年歐洲技術研討會上，該公司透露了有關其使用先進邏輯工藝製造HBM4基底晶片的最新細節。
根據報導中引用的TSMC設計和技術平台的資深總監，TSMC目前正在與包括美光（Micron）、三星和SK海力士（SK Hynix）在內的HBM記憶體合作夥伴合作，針對HBM4進行先進工藝節點的開發。
早在4月中旬，SK海力士宣布已與TSMC簽署諒解備忘錄，雙方將合作生產下一代HBM，並通過先進封裝技術增強邏輯和HBM的整合。該公司計劃通過這一計劃推進HBM4的開發，並預計在2026年量產。
N12FFC+被認為更具成本效益，預計能夠實現HBM的性能，而N5基底晶片則可以提供更多的邏輯與顯著降低的功耗。
在研討會上，TSMC表示其12FFC+工藝非常適合HBM4的性能，允許記憶體供應商構建12層堆疊（48 GB）和16層堆疊（64 GB），每層堆疊的帶寬超過2 TB/秒。TSMC還在優化CoWoS-L和CoWoS-R以支持HBM4，這些技術利用了八層以上的層數來支持HBM4超過2000個互連的布線，並確保信號完整性。
這些封裝解決方案據稱提供了可以容納多達8倍於掩膜版大小的中介層，為多達12個HBM4記憶體堆疊提供了足夠的空間。
此外，使用N5工藝製造的基底晶片將具有更高的邏輯密度、更低的功耗和更高的性能。然而，最顯著的優勢可能在於這種先進工藝技術能實現的極小互連間距，範圍從6到9微米。這一能力將使N5基底晶片能夠與直接鍵合配對，從而實現HBM4直接堆疊在邏輯晶片之上。根據報導，直接鍵合有潛力顯著提高記憶體性能，這對於不斷需要更高記憶體帶寬的AI和HPC晶片來說至關重要。
呢單要當玄學新聞咁報？
Amid intensified investments in High Bandwidth Memory (HBM) by Samsung Electronics and SK hynix, there is a noticeable surge in the prices of legacy DRAM products. The shift in focus towards HBM has led to a reduction in the production capacity of legacy products, which could lead to a shortage in the supply of generic DRAMs if the trend continues.
According to the semiconductor industry on June 16, market research firm TrendForce has predicted that the price of the old DDR3 DRAM could increase by 50-100% in the second half of the year. This price surge is a result of Samsung Electronics halting production of DDR3 products in the second quarter, while SK hynix and Micron are also reallocating their production lines to focus on HBM and DDR5, drastically reducing the supply.
在三星電子和SK海力士加強對高頻寬記憶體（HBM）的投資之際，傳統DRAM產品的價格顯著上漲。由於對HBM的重點關注，傳統產品的生產能力有所減少，如果這一趨勢持續下去，可能會導致通用DRAM供應短缺。
根據半導體行業在6月16日的報導，市場研究公司TrendForce預測舊款DDR3 DRAM的價格在今年下半年可能上漲50-100%。這一價格上漲是由於三星電子在第二季度停止生產DDR3產品，而SK海力士和美光也正在重新分配其生產線，專注於HBM和DDR5，大幅減少了供應。
According to the semiconductor industry on June 16, market research firm TrendForce has predicted that the price of the old DDR3 DRAM could increase by 50-100% in the second half of the year. This price surge is a result of Samsung Electronics halting production of DDR3 products in the second quarter, while SK hynix and Micron are also reallocating their production lines to focus on HBM and DDR5, drastically reducing the supply.
在三星電子和SK海力士加強對高頻寬記憶體（HBM）的投資之際，傳統DRAM產品的價格顯著上漲。由於對HBM的重點關注，傳統產品的生產能力有所減少，如果這一趨勢持續下去，可能會導致通用DRAM供應短缺。
根據半導體行業在6月16日的報導，市場研究公司TrendForce預測舊款DDR3 DRAM的價格在今年下半年可能上漲50-100%。這一價格上漲是由於三星電子在第二季度停止生產DDR3產品，而SK海力士和美光也正在重新分配其生產線，專注於HBM和DDR5，大幅減少了供應。
DELL：摩根士丹利表示戴爾今年可能繼續表現優異
摩根士丹利分析師Erik Woodring在與管理層會議後重申戴爾科技是其首選，原因是戴爾在快速增長的AI伺服器總可尋址市場中具有強大的競爭定位、改善的利潤率以及更好的存儲執行，這些因素應該會推動估值和預測上升。摩根士丹利指出，管理層重申戴爾不是這個市場上的價格攻擊者，其定價比OEM同行平均高出10%。同時，摩根士丹利指出，戴爾簽訂的幾乎所有雲服務提供商（CSP）和企業AI伺服器交易都涉及一層高利潤率（40%）且粘性的服務，這些服務隨時間推移會被遞延和攤銷（摩根士丹利認為服務佔整個系統價格的10%或更少）。重要的是，摩根士丹利表示，管理層指出目前遞延的AI伺服器服務收入多於攤銷的收入，這意味著隨著交易攤銷計劃逐步疊加，AI伺服器的收入和毛利率應該會在其他條件不變的情況下改善。
摩根士丹利分析師Erik Woodring在與管理層會議後重申戴爾科技是其首選，原因是戴爾在快速增長的AI伺服器總可尋址市場中具有強大的競爭定位、改善的利潤率以及更好的存儲執行，這些因素應該會推動估值和預測上升。摩根士丹利指出，管理層重申戴爾不是這個市場上的價格攻擊者，其定價比OEM同行平均高出10%。同時，摩根士丹利指出，戴爾簽訂的幾乎所有雲服務提供商（CSP）和企業AI伺服器交易都涉及一層高利潤率（40%）且粘性的服務，這些服務隨時間推移會被遞延和攤銷（摩根士丹利認為服務佔整個系統價格的10%或更少）。重要的是，摩根士丹利表示，管理層指出目前遞延的AI伺服器服務收入多於攤銷的收入，這意味著隨著交易攤銷計劃逐步疊加，AI伺服器的收入和毛利率應該會在其他條件不變的情況下改善。
美銀美林（BAML）研究了在新興的設備端AI（也稱為邊緣AI）市場中，兩個最重要的受益者——計算和記憶體晶片。美銀美林認為，邊緣AI將慢慢但穩步地補充核心或數據中心的AI硬體。美銀美林指出，消費者硬體公司無論如何都會試圖利用日益增長的消費者興趣和不斷壯大的軟體生態系統勢頭來推動更快的升級週期。雖然4G/5G催生了對更好蜂窩數據機/RF的需求，但美銀美林認為設備端AI對處理器和記憶體公司最為有利。由於產能專注於HBM的生產，傳統DRAM的價格可能會翻倍。
台灣的半導體巨頭台積電（TSMC）面臨對其3奈米技術的巨大需求，蘋果和NVIDIA等主要客戶已經完全分配其生產能力。
根據《工商時報》的報導，訂單預計將填滿到2026年。據報導，台積電計劃將3奈米的價格提高超過5%，而先進封裝的價格預計明年將上漲約10%至20%。
台積電的3奈米家族成員包括N3、N3E、N3P、以及N3X和N3A。隨著現有的N3技術不斷升級，於去年第四季度開始量產的N3E針對AI加速器、高端智能手機和數據中心等應用。
N3P計劃在今年下半年量產，預計到2026年將成為移動設備、消費產品、基站和網絡應用的主流。N3X和N3A則是為高性能計算和汽車客戶量身定制的。
根據同一報導引用的行業消息，台積電的竹南先進封裝廠（AP6）運營已有一年，已成為台灣最大的CoWoS基地，其AP6C廠房已經安裝設備。第三季度，CoWoS的月產能預計將從17,000片晶圓增加到33,000片。
報導引用的行業消息進一步表示，雖然AI加速器不使用最先進的製造工藝，但它們高度依賴先進封裝技術。全球半導體公司能否獲得更多台積電的先進封裝產能，將決定其市場滲透率和控制力。
台積電的先進封裝產能稀缺，主要客戶NVIDIA需求最大，佔用了約一半的產能，緊隨其後的是AMD。博通、亞馬遜和Marvell也表達了對使用先進封裝工藝的強烈興趣。據說，NVIDIA毛利率接近80%，已同意提價以確保更多的先進封裝產能，從而拉開與競爭對手的距離。
此前，NVIDIA CEO黃仁勳強調，台積電不僅僅是製造晶圓，還處理了許多供應鏈問題。他也同意目前的定價過低，並支持台積電的提價行動。
《工商時報》引用的行業消息顯示，台積電計劃在第三季度增加CoWoS相關設備，並要求設備製造商派遣更多工程師，全面部署其龍潭AP3、竹南AP6和中部科學園區AP5廠房。
除了竹南的AP6C外，原本只負責後期oS的中部科學園區廠房也將逐步過渡到CoW工藝。同時，嘉義的廠址正在進行土地準備，預計進展會比銅鑼更快。
報導指出，行業消息進一步透露，3奈米和5奈米等先進製程節點的價格也將進行調整。特別是，下半年3奈米訂單的強勁需求預計將推動產能利用率接近滿載，並持續到2025年。由於AI需求，5奈米製程也面臨類似的需求動態。
根據《工商時報》的報導，訂單預計將填滿到2026年。據報導，台積電計劃將3奈米的價格提高超過5%，而先進封裝的價格預計明年將上漲約10%至20%。
台積電的3奈米家族成員包括N3、N3E、N3P、以及N3X和N3A。隨著現有的N3技術不斷升級，於去年第四季度開始量產的N3E針對AI加速器、高端智能手機和數據中心等應用。
N3P計劃在今年下半年量產，預計到2026年將成為移動設備、消費產品、基站和網絡應用的主流。N3X和N3A則是為高性能計算和汽車客戶量身定制的。
根據同一報導引用的行業消息，台積電的竹南先進封裝廠（AP6）運營已有一年，已成為台灣最大的CoWoS基地，其AP6C廠房已經安裝設備。第三季度，CoWoS的月產能預計將從17,000片晶圓增加到33,000片。
報導引用的行業消息進一步表示，雖然AI加速器不使用最先進的製造工藝，但它們高度依賴先進封裝技術。全球半導體公司能否獲得更多台積電的先進封裝產能，將決定其市場滲透率和控制力。
台積電的先進封裝產能稀缺，主要客戶NVIDIA需求最大，佔用了約一半的產能，緊隨其後的是AMD。博通、亞馬遜和Marvell也表達了對使用先進封裝工藝的強烈興趣。據說，NVIDIA毛利率接近80%，已同意提價以確保更多的先進封裝產能，從而拉開與競爭對手的距離。
此前，NVIDIA CEO黃仁勳強調，台積電不僅僅是製造晶圓，還處理了許多供應鏈問題。他也同意目前的定價過低，並支持台積電的提價行動。
《工商時報》引用的行業消息顯示，台積電計劃在第三季度增加CoWoS相關設備，並要求設備製造商派遣更多工程師，全面部署其龍潭AP3、竹南AP6和中部科學園區AP5廠房。
除了竹南的AP6C外，原本只負責後期oS的中部科學園區廠房也將逐步過渡到CoW工藝。同時，嘉義的廠址正在進行土地準備，預計進展會比銅鑼更快。
報導指出，行業消息進一步透露，3奈米和5奈米等先進製程節點的價格也將進行調整。特別是，下半年3奈米訂單的強勁需求預計將推動產能利用率接近滿載，並持續到2025年。由於AI需求，5奈米製程也面臨類似的需求動態。
OpenAI CEO Says Company Could Become Benefit Corporation
https://www.theinformation.com/articles/openai-ceo-says-company-could-become-benefit-corporation-akin-to-rivals-anthropic-xai?utm_source=substack&utm_medium=email
https://www.theinformation.com/articles/openai-ceo-says-company-could-become-benefit-corporation-akin-to-rivals-anthropic-xai?utm_source=substack&utm_medium=email
韭菜包點睇mu？
呢幾日升到傻
呢幾日升到傻
炒緊DRAM加價，最誇張話加價100%，連續幾間大行上調目標價，我比較擔心buyside預期唔知會唔會過高
好似dell業績前咁
有啲似
揸到業績前
利申 重貨
利申 重貨
之後再反手put
業績後再call返
業績後再call返