中國晶片發展落後原因
愛康健
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but having said that they r taking lots of mid to senior management, esp those who runs the factory in china (ask mediatek, 40 left last quarter and made it on the news). 4 to 5x salary hike is not unheard of but of coz...those guys disappear soon as Taiwan tech company security is much tighter than before harder and harder to bring stuff out hence cant really help the Chinese
講返：當年教大陸政府賣地來增加庫房收益來起動果條友，就係689...
日本Geo Thermal都多架，但日本都有電力缺口
真正原因你聽落可能覺得好ON9，係因為日本溫泉協會為左保護溫泉資源，Ban左好多個地熱發電項目
Vice News有報導過
北投果邊搞地熱發電係有本錢，但一搞成個北投就會無哂溫泉水，北投D人訓馬路都似
真正原因你聽落可能覺得好ON9，係因為日本溫泉協會為左保護溫泉資源，Ban左好多個地熱發電項目
Vice News有報導過
北投果邊搞地熱發電係有本錢，但一搞成個北投就會無哂溫泉水，北投D人訓馬路都似
689教架！？
佢真係功德無量
佢真係功德無量
在中國政壇，梁振英可謂年少得志，在1988年僅33歲時，就被委任為基本法諮詢委員會秘書長，成為治港班子的核心。一般人會疑惑，梁振英何德何能，可以被中央睇中，委以重任。其實梁振英是將香港土地制度推介到內地的關鍵人物，等於內地財神爺。CY為黨國立下如此汗馬功勞，以區區特首位置酬功，自然不在話下。
內地在改革開放初期，地方政府苦於無錢，但由於共產黨的意識形態不允許土地私有，政府無法賣地。這時，以梁振英為首的一班商人向內地建言，仿效香港制度，土地屬於英國王室，但使用權可以出讓。內地如獲至寶，梁振英在1987年被上海委任為土地改革顧問。同年，深圳市舉行首次土地拍賣會，梁振英親自撰寫標書，全國17個城市市長以及政治局委員李鐵映到場觀摩。
深圳土地拍賣成功後，全國紛紛效仿，一發不可收拾。內地媒體統計，近30年來總賣地收入接近30萬億元人民幣。據財政部數據，去年全國賣地收入佔地方財政收入21%，為最大財源之一，有11個城市賣地收入佔財政收入50%以上，成為維持政府運作的命脈。
中國土地資源豐富，但由於照抄地窄人多的香港土地制度，房地產業已經騎劫整個經濟。地方政府已成為最大地產商，欲罷不能。另一方面，內地抄香港只抄一半，香港公營房屋供應一半的住宅，但內地政府對無利可圖的保障房只是應酬式興建，全民要捱貴價樓，怨聲載道。中國的土地泡沫越滾越大，爆煲迹象越來越明顯，內地已有不少言論質疑當年的始作俑者，大功日後隨時可能變大罪。
內地在改革開放初期，地方政府苦於無錢，但由於共產黨的意識形態不允許土地私有，政府無法賣地。這時，以梁振英為首的一班商人向內地建言，仿效香港制度，土地屬於英國王室，但使用權可以出讓。內地如獲至寶，梁振英在1987年被上海委任為土地改革顧問。同年，深圳市舉行首次土地拍賣會，梁振英親自撰寫標書，全國17個城市市長以及政治局委員李鐵映到場觀摩。
深圳土地拍賣成功後，全國紛紛效仿，一發不可收拾。內地媒體統計，近30年來總賣地收入接近30萬億元人民幣。據財政部數據，去年全國賣地收入佔地方財政收入21%，為最大財源之一，有11個城市賣地收入佔財政收入50%以上，成為維持政府運作的命脈。
中國土地資源豐富，但由於照抄地窄人多的香港土地制度，房地產業已經騎劫整個經濟。地方政府已成為最大地產商，欲罷不能。另一方面，內地抄香港只抄一半，香港公營房屋供應一半的住宅，但內地政府對無利可圖的保障房只是應酬式興建，全民要捱貴價樓，怨聲載道。中國的土地泡沫越滾越大，爆煲迹象越來越明顯，內地已有不少言論質疑當年的始作俑者，大功日後隨時可能變大罪。
高通同大陸國企大唐合組合資公司 會不會提供技術比大陸 咁樣形式既合作係用咩模式
Japan relied so much on nuclear in the pass but they closed all in 1 go after 311... but Taiwan reliance is much less tho.
I didn't think about the technical hurdle and the hot spring actually
as far as I know what Iceland does is to inject water down to the rock rather than using hot spring water directly.
anyhow, back to the topic, tsmc, Samsung sk hynix all has fab in china. none of them worried about technology being stolen is because all the process and pretty much everything are up in the cloud...and machine and everything are adjusted back at home anyway. newest toy will never ever send to china.
in a way, china force them to build fab in the country provide cheap land etc, thought they could learn sth but doesn't play out
I didn't think about the technical hurdle and the hot spring actually
as far as I know what Iceland does is to inject water down to the rock rather than using hot spring water directly.
anyhow, back to the topic, tsmc, Samsung sk hynix all has fab in china. none of them worried about technology being stolen is because all the process and pretty much everything are up in the cloud...and machine and everything are adjusted back at home anyway. newest toy will never ever send to china.
in a way, china force them to build fab in the country provide cheap land etc, thought they could learn sth but doesn't play out
GPU 一直係TSMC, CPU 就GF, 因為GF 都落後左，AMD 先諗俾埋TSMC 造CPU
台灣無左核四， 搞可再生能源，又比班鄉民罵
屌 咁贏國有咩核心技術 光學無光學玻璃 晶片直頭乜都無
見大家對電子界都有咁興趣,就講少少依家電子界已經好多人用,但香港中國冇咩人知ga技術比大家聽啦,呢一樣野係定香港幾間大學ee都冇教,但台灣ga大學電機電子系已經係課程入邊好幾年,叫樣野就係叫FinFET
FET ga全名就係「場效電晶體（Field Effect Transistor，FET）」，先從大家較耳熟能詳ga「MOS」黎說明。MOSga全名係「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）」， 構造如圖1所示，左邊灰色ga區域（矽）叫做「源極（Source）」，右邊灰色ga區域（矽）叫做「汲極（Drain）」，中間有塊金屬（紅色）突出黎叫做「閘極（Gate）」，閘極下方有一層厚度好薄ga氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal）、氧化物（Oxide）、半導體（Semiconductor），因此稱之為「MOS」。
MOSFET ga工作原理好簡單，電子由左邊的源極流入，經過閘極下方的電子通道，由右邊a汲極流出，中間ga閘極則可以決定是否讓電子由下方通過，有點似係水龍頭ga開關一樣，因此稱為「閘」；電子係由源極流入，就係電子ga來源，因此稱為「源」；電子係由汲極流出，看看說文解字裡ga介紹：汲者，引水於井也，也就是由這裡取出電子，因此稱為「汲」。
MOSFET 係目前半導體產業最常使用ga一種場效電晶體（FET），科學家將它製作在矽晶圓上，係數位訊號ga最小單位，我們可以想像一個 MOSFET 代表一個 0 或一個 1，就係電腦裡的一個「位元（bit）」。電腦係以 0 與 1 兩種數位訊號來運算；我們可以想像在矽晶片上有數十億個 MOSFET，就代表數十億個 0 與 1，再用金屬導線將這數十億個 MOSFET ga源極、汲極、閘極連結起來，電子訊號在這數十億個 0 與 1 之間流通就可以交互運算，最後得到使用者想要ga加、減、乘、除運算結果，呢個就係電腦的基本工作原理。晶圓廠像台積電、聯電，就是係矽晶圓上製作數十億個 MOSFET 的工廠。
MOSFET ga結構自發明以來，到現在已使用超過 40 年，當閘極長度縮小到 20 奈米以下ga時候，遇到了許多問題，其中最麻煩ga係當閘極長度愈小，源極和汲極ga距離就愈近，閘極下方的氧化物也愈薄，電子有可能偷偷流過去產生「漏電（Leakage）」；另外一個更麻煩ga問題，原本電子是否能由源極流到汲極係由閘極電壓來控制，但係閘極長度愈小，則閘極與下方通道之間ga接觸面積（圖一紅色虛線區域）愈小，je係閘極對通道的影響力愈小
因此美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor 等三位教授發明了「鰭式場效電晶體（Fin Field Effect Transistor，FinFET）」，把原本 2D 構造ga MOSFET 改為 3D ga FinFET，如圖2所示，因為構造好似魚鰭 ，因此稱為「鰭式（Fin）」
由圖中可以看出原本ga源極和汲極拉高變成立體板狀結構，令到源極和汲極之間ga通道變成板狀，則閘極與通道之間ga接觸面積變大了（圖二黃色的氧化物與下方接觸的區域明顯比圖一紅色虛線區域還大），這樣一來即使閘極長度縮小到 20 奈米以下，仍然保留很大的接觸面積，可以控制電子是否能由源極流到汲極，因此可以更妥善咁控制電流，同時降低漏電和動態功率耗損，所謂動態功率耗損就是這個 FinFET 由狀態關變開（0變1）或開變關（1變0）所消耗的電能，降低漏電和動態功率耗損就係可以更省電
大家依家用緊部iphone,已經用緊呢種技術,但我諗香港應該冇咩人知,更冇話做到,但外邊世界已經係常事,鰭式場效電晶體係閘極長度縮小到 20 奈米以下ga關鍵，擁有呢個技術ga製程與專利，先可以確保未來在半導體市場上ga競爭力,但係台積電冇重用梁孟松黎研發呢個技術，令他跳糟到三星電子，令三星電子ga FinFET 製程技術係短短幾年間突飛猛進甚至超越台積電.
FET ga全名就係「場效電晶體（Field Effect Transistor，FET）」，先從大家較耳熟能詳ga「MOS」黎說明。MOSga全名係「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）」， 構造如圖1所示，左邊灰色ga區域（矽）叫做「源極（Source）」，右邊灰色ga區域（矽）叫做「汲極（Drain）」，中間有塊金屬（紅色）突出黎叫做「閘極（Gate）」，閘極下方有一層厚度好薄ga氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal）、氧化物（Oxide）、半導體（Semiconductor），因此稱之為「MOS」。
MOSFET ga工作原理好簡單，電子由左邊的源極流入，經過閘極下方的電子通道，由右邊a汲極流出，中間ga閘極則可以決定是否讓電子由下方通過，有點似係水龍頭ga開關一樣，因此稱為「閘」；電子係由源極流入，就係電子ga來源，因此稱為「源」；電子係由汲極流出，看看說文解字裡ga介紹：汲者，引水於井也，也就是由這裡取出電子，因此稱為「汲」。
MOSFET 係目前半導體產業最常使用ga一種場效電晶體（FET），科學家將它製作在矽晶圓上，係數位訊號ga最小單位，我們可以想像一個 MOSFET 代表一個 0 或一個 1，就係電腦裡的一個「位元（bit）」。電腦係以 0 與 1 兩種數位訊號來運算；我們可以想像在矽晶片上有數十億個 MOSFET，就代表數十億個 0 與 1，再用金屬導線將這數十億個 MOSFET ga源極、汲極、閘極連結起來，電子訊號在這數十億個 0 與 1 之間流通就可以交互運算，最後得到使用者想要ga加、減、乘、除運算結果，呢個就係電腦的基本工作原理。晶圓廠像台積電、聯電，就是係矽晶圓上製作數十億個 MOSFET 的工廠。
MOSFET ga結構自發明以來，到現在已使用超過 40 年，當閘極長度縮小到 20 奈米以下ga時候，遇到了許多問題，其中最麻煩ga係當閘極長度愈小，源極和汲極ga距離就愈近，閘極下方的氧化物也愈薄，電子有可能偷偷流過去產生「漏電（Leakage）」；另外一個更麻煩ga問題，原本電子是否能由源極流到汲極係由閘極電壓來控制，但係閘極長度愈小，則閘極與下方通道之間ga接觸面積（圖一紅色虛線區域）愈小，je係閘極對通道的影響力愈小
因此美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor 等三位教授發明了「鰭式場效電晶體（Fin Field Effect Transistor，FinFET）」，把原本 2D 構造ga MOSFET 改為 3D ga FinFET，如圖2所示，因為構造好似魚鰭 ，因此稱為「鰭式（Fin）」
由圖中可以看出原本ga源極和汲極拉高變成立體板狀結構，令到源極和汲極之間ga通道變成板狀，則閘極與通道之間ga接觸面積變大了（圖二黃色的氧化物與下方接觸的區域明顯比圖一紅色虛線區域還大），這樣一來即使閘極長度縮小到 20 奈米以下，仍然保留很大的接觸面積，可以控制電子是否能由源極流到汲極，因此可以更妥善咁控制電流，同時降低漏電和動態功率耗損，所謂動態功率耗損就是這個 FinFET 由狀態關變開（0變1）或開變關（1變0）所消耗的電能，降低漏電和動態功率耗損就係可以更省電
大家依家用緊部iphone,已經用緊呢種技術,但我諗香港應該冇咩人知,更冇話做到,但外邊世界已經係常事,鰭式場效電晶體係閘極長度縮小到 20 奈米以下ga關鍵，擁有呢個技術ga製程與專利，先可以確保未來在半導體市場上ga競爭力,但係台積電冇重用梁孟松黎研發呢個技術，令他跳糟到三星電子，令三星電子ga FinFET 製程技術係短短幾年間突飛猛進甚至超越台積電.
起碼好多控制器晶片係西門子 可以google 下幾年前 以色列 用 stuxnet hack 伊朗鈾提煉廠單嘢
I don’t think this is entirely accurate. The foundries like tsmc and Samsung use the machines from ASML. Just because the machines are available doesn’t mean that the foundries don’t have to overcome their own technical problem.
There are some facts which are not entirely accurate in your description of the history, but I guess we don’t need to be 100% accurate since you are just giving an overview.
There are some facts which are not entirely accurate in your description of the history, but I guess we don’t need to be 100% accurate since you are just giving an overview.
响香港做高科技人工好低又走唔到
仲記得有班友遊行，講撚到明「用愛發電」
我唔否認台灣後生果輩係有高質人士，係堅會跳出台灣人果套戇鳩思維，但算好罕見，幾年黎我相處過既高質撚，真係十隻手指都數得哂。
我相處過既絕大部分台灣後生一輩，都係好撚低質，諗野太簡單無腦，視野太窄，講野多數唔經大腦。
已經係講緊算係前段既學生
我唔否認台灣後生果輩係有高質人士，係堅會跳出台灣人果套戇鳩思維，但算好罕見，幾年黎我相處過既高質撚，真係十隻手指都數得哂。
我相處過既絕大部分台灣後生一輩，都係好撚低質，諗野太簡單無腦，視野太窄，講野多數唔經大腦。
已經係講緊算係前段既學生
仲記得有班友遊行，講撚到明「用愛發電」台灣無左核四， 搞可再生能源，又比班鄉民罵I doubt it或者咁講
they started the construction of the new fab 2 weeks ago. it was reported that they have secured all the water they need. really doubt they haven't addressed the power need.
in the past there were questions relating to the vibration caused by the high speed rail which was a heated debate at that time as they were building a fab near to the line....near as in few km away....I really doubt they haven't thought about power. after all the euv machine is a 200m euro each...
台灣為左保台積電生產，會犧牲其它行業
之前睇過份報告，台灣電力個缺口未來會越黎越大
我唔否認台灣後生果輩係有高質人士，係堅會跳出台灣人果套戇鳩思維，但算好罕見，幾年黎我相處過既高質撚，真係十隻手指都數得哂。
我相處過既絕大部分台灣後生一輩，都係好撚低質，諗野太簡單無腦，視野太窄，講野多數唔經大腦。
已經係講緊算係前段既學生，再同返中年果班台灣人比，我真心覺得教改後既台灣有太多問題。
咪就係,你出到D盜版野識飛又點
一出國咪俾人告囉,你自己國內就話洗橫手姐,出到去人地會同你客氣?
一出國咪俾人告囉,你自己國內就話洗橫手姐,出到去人地會同你客氣?
用愛發電嗰班係中年人多 身邊d後生都幾單純，講醒真係唔夠香港仔黎，但正正夠單純，佢地做野又會出盡力
如果當年台港合作。真係會有一翻作為，但有一點我幾中意，就係反共黎講佢地算係好堅持，唔似香港人少少利益就收埋到
可能佢地夠單純啦
身邊d後生都幾單純，講醒真係唔夠香港仔黎，但正正夠單純，佢地做野又會出盡力 如果當年台港合作。真係會有一翻作為，但有一點我幾中意，就係反共黎講佢地算係好堅持，唔似香港人少少利益就收埋到 可能佢地夠單純啦北投d溫泉真係曬鳩氣
if I may, can you talk more about cowos and fanout please? still cant really get my head around it
I know tsmc has an edge on those and that's y apple cant leave tsmc but wanna know why and how much tsmc is ahead of Samsung
I know tsmc has an edge on those and that's y apple cant leave tsmc but wanna know why and how much tsmc is ahead of Samsung
見大家對電子界都有咁興趣,就講少少依家電子界已經好多人用,但香港中國冇咩人知ga技術比大家聽啦,呢一樣野係定香港幾間大學ee都冇教,但台灣ga大學電機電子系已經係課程入邊好幾年,叫樣野就係叫FinFET
FET ga全名就係「場效電晶體（Field Effect Transistor，FET）」，先從大家較耳熟能詳ga「MOS」黎說明。MOSga全名係「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）」， 構造如圖1所示，左邊灰色ga區域（矽）叫做「源極（Source）」，右邊灰色ga區域（矽）叫做「汲極（Drain）」，中間有塊金屬（紅色）突出黎叫做「閘極（Gate）」，閘極下方有一層厚度好薄ga氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal）、氧化物（Oxide）、半導體（Semiconductor），因此稱之為「MOS」。
MOSFET ga工作原理好簡單，電子由左邊的源極流入，經過閘極下方的電子通道，由右邊a汲極流出，中間ga閘極則可以決定是否讓電子由下方通過，有點似係水龍頭ga開關一樣，因此稱為「閘」；電子係由源極流入，就係電子ga來源，因此稱為「源」；電子係由汲極流出，看看說文解字裡ga介紹：汲者，引水於井也，也就是由這裡取出電子，因此稱為「汲」。
MOSFET 係目前半導體產業最常使用ga一種場效電晶體（FET），科學家將它製作在矽晶圓上，係數位訊號ga最小單位，我們可以想像一個 MOSFET 代表一個 0 或一個 1，就係電腦裡的一個「位元（bit）」。電腦係以 0 與 1 兩種數位訊號來運算；我們可以想像在矽晶片上有數十億個 MOSFET，就代表數十億個 0 與 1，再用金屬導線將這數十億個 MOSFET ga源極、汲極、閘極連結起來，電子訊號在這數十億個 0 與 1 之間流通就可以交互運算，最後得到使用者想要ga加、減、乘、除運算結果，呢個就係電腦的基本工作原理。晶圓廠像台積電、聯電，就是係矽晶圓上製作數十億個 MOSFET 的工廠。
MOSFET ga結構自發明以來，到現在已使用超過 40 年，當閘極長度縮小到 20 奈米以下ga時候，遇到了許多問題，其中最麻煩ga係當閘極長度愈小，源極和汲極ga距離就愈近，閘極下方的氧化物也愈薄，電子有可能偷偷流過去產生「漏電（Leakage）」；另外一個更麻煩ga問題，原本電子是否能由源極流到汲極係由閘極電壓來控制，但係閘極長度愈小，則閘極與下方通道之間ga接觸面積（圖一紅色虛線區域）愈小，je係閘極對通道的影響力愈小
因此美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor 等三位教授發明了「鰭式場效電晶體（Fin Field Effect Transistor，FinFET）」，把原本 2D 構造ga MOSFET 改為 3D ga FinFET，如圖2所示，因為構造好似魚鰭 ，因此稱為「鰭式（Fin）」
由圖中可以看出原本ga源極和汲極拉高變成立體板狀結構，令到源極和汲極之間ga通道變成板狀，則閘極與通道之間ga接觸面積變大了（圖二黃色的氧化物與下方接觸的區域明顯比圖一紅色虛線區域還大），這樣一來即使閘極長度縮小到 20 奈米以下，仍然保留很大的接觸面積，可以控制電子是否能由源極流到汲極，因此可以更妥善咁控制電流，同時降低漏電和動態功率耗損，所謂動態功率耗損就是這個 FinFET 由狀態關變開（0變1）或開變關（1變0）所消耗的電能，降低漏電和動態功率耗損就係可以更省電
大家依家用緊部iphone,已經用緊呢種技術,但我諗香港應該冇咩人知,更冇話做到,但外邊世界已經係常事,鰭式場效電晶體係閘極長度縮小到 20 奈米以下ga關鍵，擁有呢個技術ga製程與專利，先可以確保未來在半導體市場上ga競爭力,但係台積電冇重用梁孟松黎研發呢個技術，令他跳糟到三星電子，令三星電子ga FinFET 製程技術係短短幾年間突飛猛進甚至超越台積電.
咁個patent 後尾係比Samsung 拎咗？
No，一直都係台積電所有，所以台積電告緊佢，加上其實台積電係28nm > 20nm Planner > 16nm FinFET一步一步演進出黎，三星就係由32nm/28nm Planner技術直接跳到14nm FinFET技術，欠缺相關經驗之外，加上梁孟松可能只係知道「技術大方向」，真正知道「防漏電」、「改善良率」ga 仲係基層員工，導致三星仍然無法駕馭FinFET這項新技術，令到A9晶片在良率、漏電控制上仲係差過台積電。但大家都有同時生產